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光刻粗加工
超10年MEMS经验团队主导
光刻生产制作是半导体设备配件产生技艺中的一种关键步凑,借助瀑光和成像在光刻胶层上勾勒配件结构特征,再可以通过刻蚀技艺将掩膜上的设计转化到衬底上。美明光学现具备光学束光刻,步进电机控制式光刻,接受式光刻等多光刻技巧。
光刻技能具体技术应用于半导体技术元器,集成化控制电路打造步骤中。
硅片,夹层玻璃,蓝红宝石,韧性村料等

電子束光刻(EBL):最少线宽50nm,精准度高达10%。

🍷步进电机式光刻:stepper i7/i10/i12,轻柔的线宽350nm,报光测量误差±0.1um。

接处,相当式光刻:MA6/BA6光刻机,至少线宽1um,曝光度误差值±0.5um。

UV紫外线光刻、无掩膜光刻、正反两面光刻、立在套刻长宽高:8'6'4'2'或不制度小片

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