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光刻工作
超10年MEMS经验团队主导
光刻加工处理是半导体材料元功率器件封装制作业工序中的另一个为重要操作步骤，可以通过曝出和显影液在光刻胶层上刻化元功率器件封装架构，再可以通过刻蚀工序将掩膜上的图案转化成到衬底上。美明光电子器材现今熟知光电子器材束光刻，伺服电机式光刻，沾染式光刻等许多光刻技術。
光刻能力重点用途于光电器件器材，ibms电路原理研制阶段中。
硅片，有机玻璃，蓝绿宝石，被动式用料等

智能束光刻（EBL）：面积最小线宽50nm，可靠性强，精密度大约10%。

𝄹步进电机控制式光刻：stepper i7/i10/i12，较小线宽350nm，晒出随机误差±0.1um。

碰触，临近式光刻：MA6/BA6光刻机，超小线宽1um，曝料不确定度±0.5um。

分光光度计光刻、无掩膜光刻、俩面光刻、瞄准套刻大小：8＇6＇4＇2＇相应不游戏规则小片

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