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光刻激光加工
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光刻生产打造是半导体的技术微网上元件打造施工制作工艺中的两个首要方法流程，采取曝光过度和显影液在光刻胶层上刻画出微网上元件的结构，再完成刻蚀施工制作工艺将掩膜上的立体图形转化成到衬底上。美明微网上迄今为止熟知微网上束光刻，伺服电机式光刻，沾染式光刻等很多光刻的技术。
光刻的技术主要的操作于半导体技术模块化电路系统芯片，模块化电路系统研发具体步骤中。
硅片，磨砂玻璃，蓝原石，柔性fpc线路板板材等

网上束光刻（EBL）：不大线宽50nm，计算精度高达10%。

步♕进电机式光刻：stepper i7/i10/i12，面积最小线宽350nm，曝光过度随机误差±0.1um。

遇到，更加接近式光刻：MA6/BA6光刻机，最窄线宽1um，大曝光出现偏差的原因±0.5um。

太阳光的紫外线光刻、无掩膜光刻、两面光刻、对套刻大小：8＇6＇4＇2＇及及不流程小片

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