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刻蚀工序

超10年MEMS经验团队主导

刻蚀是以掩膜图像或设汁的标准对半导体器件芯片衬底表明或表明盖住复合膜做好会条件性刻蚀的系统，它是半导体器件芯片制作业厂生产艺设备，微微电子元器件技术IC制作业厂生产艺设备中的某种一定根本的环节。是与光刻相取得联系的图像化净化处理的某种关键生产艺设备。刻蚀可分干法刻蚀和湿法灼伤。到目前为止美明微电子元器件技术学好多种类刻蚀生产艺设备，并会给出客人所需，设汁刻蚀成果好且性价此低的刻蚀解决方法设计。

刻蚀方法核心应用领域于半导体材料集成系统电线板芯片，集成系统电线板制作业，塑料薄膜电线板，包装印刷电线板和的微细平面图形的代加工等。

刻蚀枝术：亚铁铝铁阴阳离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、现象亚铁铝铁阴阳离子刻蚀（RIE）、凝焦亚铁铝铁阴阳离子束刻蚀（FIB）、电感耦合电路（IPC）等亚铁铝铁阴阳离子刻蚀。

硅、脱色硅、金属件、熔融石英材料等。