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刻蚀工序
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刻蚀是确定掩膜多边形或设汁规范对半导设备衬底表层或表层覆盖住透气膜做好首选性刻蚀的技术设备,它是半导设备生产制作加工,微光电子光学IC生产制作加工中的某种特别首要的操作步骤。是与光刻相建立联系的多边形化清理的某种基本加工。刻蚀构成干法刻蚀和湿法蚀化。近年来美明光电子光学理解多种多样刻蚀加工,并会按照其加盟商的需求,设汁刻蚀感觉好且性价变高的刻蚀缓解工作方案。
刻蚀技術主要的软件应用于半导配件,融合电线生产,塑料薄膜电线,纸箱印刷电线和的微细原型的精加工等。
刻蚀技能:阳铁亚铁亚铁离子束刻蚀(IBE)、深硅刻蚀(DRIE)、体现阳铁亚铁亚铁离子刻蚀(RIE)、瞄准阳铁亚铁亚铁离子束刻蚀(FIB)、电感交叉耦合(IPC)等阳铁亚铁亚铁离子刻蚀。
硅、钝化硅、合金金属、石英晶体素材等。
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