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刻蚀工艺设计
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刻蚀是决定掩膜平面几何图或设置制作特殊要求对半导体器件行业衬底外层或外层履盖聚酰亚胺膜通过选购性刻蚀的高技术,它是半导体器件行业产生生产加加工制作工艺 ,微智能IC产生生产加加工制作工艺 中的另外其中一种该是比较重要的过程。是与光刻相取得联系的平面几何图化进行处理的另外其中一种常见生产加加工制作工艺 。刻蚀划分为干法刻蚀和湿法锈蚀。如今美明智能熟练三种刻蚀生产加加工制作工艺 ,并会会按照加盟商需求分析,设置制作刻蚀的管用且性价变高的刻蚀化解策划方案。
刻蚀能力基本利用于半导体材料电子元件,模块化用电线路激光加工制造,保护膜用电线路,uv打印机彩印用电线路和另一个微细空间图形的激光加工等。
刻蚀技术设备:阳化合物束刻蚀(IBE)、深硅刻蚀(DRIE)、响应阳化合物刻蚀(RIE)、精准定位阳化合物束刻蚀(FIB)、电感交叉耦合(IPC)等阳化合物刻蚀。
硅、空气氧化硅、轻金属、熔融石英产品等。
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